成都芯未半导体项目拟6月底交付新建高端功率半导体厂房以及动力中心等
近日,成都高新西区发展建设有限公司主持召开芯未半导体厂房项目抢工期赶进度保质量攻坚大会,确保项目能在6月底如期交付。
倍特建安消息显示,该项目占地30亩,计划新建高端功率半导体厂房以及动力中心、化学品库等配套辅助设施,投入主要工艺设备及仪器376台(套),建成高端功率半导体器件、组件研发平台和特色产线,集高端功率半导体生产制造、研发实验为一体。目前项目主体结构和二次结构施工已完成,正进行外立面幕墙施工和室内装饰工程施工和洁净室施工。
此前消息,今年3月,芯未半导体项目工艺配套设施安装工程招标成功。当时,芯未半导体官方消息指出,项目预计6月完工。该项目总投资约10亿元,主要从事IGBT等功率半导体芯片及产品的特色工艺的研发和生产制造,一期项目建成后,将形成年产120万只功率半导体模块的生产制造能力。
2022年6月,高新发展发布公告,公司及全资子公司成都倍特建设开发有限公司将以现金2.82亿元购买成都森未科技有限公司(以下简称“森未科技”)股权及其上层股东权益,交易完成后,公司以直接和间接方式控制森未科技69.401%的股权,取得森未科技控制权。同时,拟以现金195.9706万元购买高投集团持有的芯未半导体98%股权,芯未半导体是2022年初森未科技与高投集团成立的合资企业。
据悉,森未科技成立于2017年7月,专注于先进功率半导体器件的国产化,芯片产品全面采用沟槽栅+场截止技术,并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。
2022年8月,成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元,运营方为成都高投芯未半导体有限公司,主要从事IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售。项目建成投产后将为包括森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务,包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等。
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